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MC-4516DA727PFA-A75

更新时间： 2024-11-17 22:23:11

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		内存集成电路动态存储器时钟
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描述
16M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE REGISTERED TYPE

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MC-4516DA727PFA-A75 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	,	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.46
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	1207959552 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX72
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	认证状态：	Not Qualified
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MC-4516DA727PFA-A75 数据手册

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DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

MC-4516DA727

16M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE

REGISTERED TYPE

Description

The MC-4516DA727 is a 16,777,216 words by 72 bits synchronous dynamic RAM module on which 9 pieces of

128M SDRAM: µPD45128841 are assembled.

These modules provide high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-

mounting technology on the printed circuit board.

Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.

Features

• 16,777,216 words by 72 bits organization (ECC type)

• Clock frequency and access time from CLK.

Part number

MC-4516DA727EFA-A75

MC-4516DA727PFA-A75

/CAS latency

Clock frequency

(MAX.)

Access time from CLK

(MAX.)

CL = 3

CL = 2

CL = 3

CL = 2

133 MHz

100 MHz

133 MHz

100 MHz

5.4 ns

6.0 ns

5.4 ns

6.0 ns

★

• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

• Pulsed interface

• Possible to assert random column address in every cycle

• Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)

• Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and Full Page)

• Programmable wrap sequence (Sequential / Interleave)

• Programmable /CAS latency (2, 3)

★

• Automatic precharge and controlled precharge

• CBR (Auto) refresh and self refresh

• All DQs have 10 Ω ±10 % of series resistor

• Single 3.3 V ±0.3 V power supply

• LVTTL compatible

• 4,096 refresh cycles/64 ms

• Burst termination by Burst Stop command and Precharge command

• 168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm)

• Registered type

• Serial PD

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

1999

Document No. M14082EJ4V0DS00 (4th edition)

Date Published February 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark ★ shows major revised points.

12 3 4 5 6 7...16

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