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MC-421000B9B-10

更新时间: 2024-11-14 14:53:11
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 311K
描述
DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS, SIMM-30

MC-421000B9B-10 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SIMM-30
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:NIBBLE
最长访问时间:100 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-XSMA-N30内存密度:9437184 bit
内存集成电路类型:DRAM MODULE内存宽度:9
功能数量:1端口数量:1
端子数量:30字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX9输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
刷新周期:512最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

MC-421000B9B-10 数据手册

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