生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SIMM-30 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | NIBBLE |
最长访问时间: | 100 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
JESD-30 代码: | R-XSMA-N30 | 内存密度: | 9437184 bit |
内存集成电路类型: | DRAM MODULE | 内存宽度: | 9 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 30 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX9 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 512 | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | SINGLE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MC-421000B9B-12 | NEC |
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1MX9 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, SIMM-30 | |
MC-421000B9B-80 | NEC |
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1MX9 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 80ns, SMA30, SIMM-30 | |
MC-421000C8A-10 | NEC |
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1MX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 100ns, SMA30, SIMM-30 | |
MC-421000C8A-80 | NEC |
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DRAM Module, 1MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30 | |
MC-421000C8B-10 | NEC |
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DRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, SIMM-30 | |
MC-421000C8B-12 | NEC |
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DRAM Module, 1MX8, 120ns, CMOS, SIMM-30 | |
MC-421000C8B-80 | NEC |
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1MX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 80ns, SMA30, SIMM-30 | |
MC-4216LFC721FB-A50 | RENESAS |
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MEMORY MODULE,DRAM,EDO,16MX72,CMOS,DIMM,168PIN,PLASTIC | |
MC-4216LFC721FH-A60 | RENESAS |
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MEMORY MODULE,DRAM,EDO,16MX72,CMOS,DIMM,168PIN,PLASTIC | |
MC-4216LFC721FH-A60 | NEC |
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EDO DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, PDMA168, PLASTIC, DIMM-168 |