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MC-422000F32BA-60

更新时间: 2024-11-14 21:16:59
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 206K
描述
MEMORY MODULE,DRAM,EDO,2MX32,CMOS,SSIM,72PIN,PLASTIC

MC-422000F32BA-60 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:SIMM
针数:72Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.6访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度:16JESD-30 代码:R-XSMA-N72
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:72
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

MC-422000F32BA-60 数据手册

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