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MBS8

更新时间： 2024-11-18 03:50:11

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TSC		二极管光电二极管
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2页	51K
描述
Single Phase 0.8 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers

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MBS8 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	1.63	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	最小击穿电压：	800 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	35 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：	800 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MBS8 数据手册

MBS2 THRU MBS10

Single Phase 0.8 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers

Voltage Range

200 to 1000 Volts

Current

0.8 Amperes

MBS

Features

.193(4.90)

.177(4.50)

ꢀ ^{Ideal for printed circuit board}

ꢀ ^{Reliable low cost construction utilizing}

molded plastic technique

.033(0.84)

.022(0.56)

.157(4.00)

.142(3.60)

.276(7.0)

MAX

ꢀ ^{High surge current capability}

ꢀ ^{High temperature soldering guaranteed:}

260℃ / 10 seconds at 5 lbs., (2.3 kg )

tension

.102(2.60)

.087(2.20)

.106(2.70)

.090(2.30)

.053(1.53)

.037(0.95)

.014(0.35

.006(0.15

ꢀ Small size, simple installation

ꢀ ^{Leads solderable per MIL-STD-202}

Method 208

.008(0.20) .118(3.0)

.043(1.10) .083(2.12)

.028(0.70) .043(1.10)

MAX

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

Symbol MBS2 MBS4 MBS6 MBS8 MBS10 Units

Type Number

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

V_RRM

V_RMS

V_DC

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

1000

Maximum Average Forward Rectified Current

On glass-epoxy P.C.B.

0.5

0.8

I_(AV)

On aluminum substrate

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single

Half Sine-wave Superimposed on Rated Load

(JEDEC method )

Maximum Instantaneous Forward Voltage

@ 0.4A

I_FSM

1.0

V_F

I_R

Maximum DC Reverse Current @ T_A=25℃

5.0

100

℃/W

℃

at Rated DC Blocking Voltage @ T_A=125℃

Typical Junction Capacitance Per Leg (Note1)

Typical Thermal Resistance Per Leg

Operating Temperature Range

Rθ_JA

T_J

-55 to +150

℃

Storage Temperature Range

T_STG

Note: 1. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 Volts D.C.

- 692 -

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBS8132100-60PFTN	FUJITSU	获取价格	Fast Page DRAM, 32MX1, 60ns, CMOS, PDSO24
MBS8132100-60PFTR	FUJITSU	获取价格	Fast Page DRAM, 32MX1, 60ns, CMOS, PDSO24
MBS8132100-60PJ	FUJITSU	获取价格	Fast Page DRAM, 32MX1, 60ns, CMOS, PDSO24
MBS8132100-70PFTR	FUJITSU	获取价格	Fast Page DRAM, 32MX1, 70ns, CMOS, PDSO24
MBS8132100-70PJ	FUJITSU	获取价格	Fast Page DRAM, 32MX1, 70ns, CMOS, PDSO24
MBS8132100-80PFTN	FUJITSU	获取价格	Fast Page DRAM, 32MX1, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24
MBS8132100-80PFTR	FUJITSU	获取价格	Fast Page DRAM, 32MX1, 80ns, CMOS, PDSO24
MBS8132100-80PJ	FUJITSU	获取价格	Fast Page DRAM, 32MX1, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28/24
MBS8132400A-50PFTR	FUJITSU	获取价格	8MX4 FAST PAGE DRAM, 50ns, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28/24
MBS8132400A-50PJ	FUJITSU	获取价格	8MX4 FAST PAGE DRAM, 50ns, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28

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