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MBS8132100-70PJ

更新时间: 2024-11-18 21:01:35
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
33页 932K
描述
Fast Page DRAM, 32MX1, 70ns, CMOS, PDSO24

MBS8132100-70PJ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ24/28,.44
针数:24Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.91最长访问时间:70 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDSO-J24
JESD-609代码:e0内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:1
端子数量:24字数:33554432 words
字数代码:32000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32MX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ24/28,.44
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.09 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MBS8132100-70PJ 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Fast Page DRAM, 32MX1, 80ns, CMOS, PDSO24
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8MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28