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MBS8132100-60PFTN

更新时间: 2024-11-21 21:01:35
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
33页 932K
描述
Fast Page DRAM, 32MX1, 60ns, CMOS, PDSO24

MBS8132100-60PFTN 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSSOP, TSSOP24/28,.46,20
针数:28/24Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:60 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDSO-G24
JESD-609代码:e0内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:1
端子数量:24字数:33554432 words
字数代码:32000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32MX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP24/28,.46,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.1 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MBS8132100-60PFTN 数据手册

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