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MBRF500100

更新时间： 2024-11-19 01:06:43
品牌 Logo 应用领域
GENESIC 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
3页 467K
描述
Silicon Power Schottky Diode

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MBRF500100 技术参数

生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.73应用：POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.84 VJEDEC-95代码：TO-244AB
JESD-30 代码：R-PUFM-X2最大非重复峰值正向电流：3500 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：250 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：1000 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPERBase Number Matches：1

MBRF500100 数据手册

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MBRF50045 thru MBRF500100R  
VRRM = 45 V - 100 V  
IF(AV) = 500 A  
Silicon Power  
Schottky Diode  
Features  
• High Surge Capability  
• Types from 45 V to 100 V VRRM  
TO-244AB Package  
• Not ESD Sensitive  
Maximum ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)  
Conditions  
MBRF50080(R) MBRF500100(R)  
Parameter  
Symbol  
MBRF50045(R) MBRF50060(R)  
Unit  
Repetitive peak reverse  
voltage  
VRRM  
80  
100  
45  
60  
V
VRMS  
VDC  
Tj  
57  
70  
RMS reverse voltage  
DC blocking voltage  
Operating temperature  
Storage temperature  
32  
42  
V
V
80  
100  
45  
60  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
°C  
°C  
Tstg  
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified  
Conditions  
TC = 125 °C  
MBRF50080(R) MBRF500100(R)  
Parameter  
Symbol  
IF(AV)  
MBRF50045(R) MBRF50060(R)  
Unit  
A
Average forward current  
(per pkg)  
500  
3500  
0.84  
500  
3500  
0.84  
500  
500  
Peak forward surge current  
(per leg)  
IFSM  
tp = 8.3 ms, half sine  
3500  
3500  
A
Maximum forward voltage  
(per leg)  
VF  
IR  
I
FM = 250 A, Tj = 25 °C  
V
0.75  
0.78  
Tj = 25 °C  
Tj = 100 °C  
Tj = 150 °C  
1
1
1
1
Reverse current at rated DC  
blocking voltage (per leg)  
10  
50  
10  
50  
mA  
10  
50  
10  
50  
Thermal characteristics  
Thermal resistance, junction-  
case (per leg)  
RΘJC  
0.30  
0.30  
0.30  
0.30  
°C/W  
1
www.genesicsemi.com/silicon-products/schottky-rectifiers/  
123

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与MBRF500100相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBRF500100R GENESIC

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 		High Surge Capability
MBRF500150 GENESIC

获取价格

 		Silicon Power Schottky Diode
MBRF500150R GENESIC

获取价格

 		Silicon Power Schottky Diode
MBRF50020 TRSYS

获取价格

 		SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 500A
MBRF500200 GENESIC

获取价格

 		Silicon Power Schottky Diode
MBRF500200R GENESIC

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