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MBRF50045

更新时间： 2024-01-28 22:30:06

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3页	467K
描述
Silicon Power Schottky Diode

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MBRF50045 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-XUFM-X2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
应用：	GENERAL PURPOSE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.75 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X2	最大非重复峰值正向电流：	3500 A
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	500 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：	45 V	最大反向电流：	1000 µA
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER

MBRF50045 数据手册

MBRF50045 thru MBRF500100R

V_RRM= 45 V - 100 V

I_F(AV)= 500 A

Silicon Power

Schottky Diode

Features

• High Surge Capability

• Types from 45 V to 100 V V_RRM

TO-244AB Package

• Not ESD Sensitive

Maximum ratings, at T_j= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)

Conditions

MBRF50080(R) MBRF500100(R)

Parameter

Symbol

MBRF50045(R) MBRF50060(R)

Unit

Repetitive peak reverse

voltage

V_RRM

100

V_RMS

V_DC

T_j

RMS reverse voltage

DC blocking voltage

Operating temperature

Storage temperature

100

-55 to 150

°C

T_stg

Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified

Conditions

T_C= 125 °C

MBRF50080(R) MBRF500100(R)

Parameter

Symbol

I_F(AV)

MBRF50045(R) MBRF50060(R)

Unit

Average forward current

(per pkg)

500

3500

0.84

500

3500

0.84

500

Peak forward surge current

(per leg)

I_FSM

t_p= 8.3 ms, half sine

3500

Maximum forward voltage

(per leg)

V_F

I_R

_FM= 250 A, T_j= 25 °C

0.75

0.78

T_j= 25 °C

T_j= 100 °C

T_j= 150 °C

Reverse current at rated DC

blocking voltage (per leg)

Thermal characteristics

Thermal resistance, junction-

case (per leg)

R_ΘJC

0.30

°C/W

www.genesicsemi.com/silicon-products/schottky-rectifiers/

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