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MBRF2545CT-E3/45

更新时间： 2024-11-21 11:11:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 513K
描述
Dual Common-Cathode Schottky Rectifier

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MBRF2545CT-E3/45 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：2.03
其他特性：FREEWHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.73 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBRF2545CT-E3/45 数据手册

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MBR(F,B)2535CT thru MBR(F,B)2560CT  
Vishay General Semiconductor  
Dual Common-Cathode Schottky Rectifier  
FEATURES  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Guardring for overvoltage protection  
• Lower power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
3
3
2
2
1
• Meets MSL level 1, per J-STD-020C, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
1
MBR25xxCT  
MBRF25xxCT  
PIN 1  
PIN 2  
CASE  
PIN 1  
PIN 2  
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB and  
ITO-220AB package)  
PIN 3  
PIN 3  
TO-263AB  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
K
TYPICAL APPLICATIONS  
2
For use in low voltage, high frequency rectifier of  
switching mode power supplies, freewheeling diodes,  
dc-to-dc converters or polarity protection application.  
1
MBRB25xxCT  
PIN 1  
K
PIN 2  
HEATSINK  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade  
(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2  
whisker test  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
15 A x 2  
35 V to 60 V  
150 A  
VF  
0.73 V at 30 A, 0.65 V at 15 A  
150 °C  
TJ max.  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
C
PARAMETER  
SYMBOL MBR2535CT MBR2545CT MBR2550CT MBR2560CT UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
VRRM  
VRWM  
VDC  
35  
35  
35  
45  
45  
45  
50  
50  
50  
60  
60  
60  
V
A
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current total device  
at TC = 130 °C  
30  
15  
IF(AV)  
IFSM  
IRRM  
ERSM  
VC  
per diode  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
150  
A
Peak repetitive reverse surge current per diode  
at tp = 2 µs, 1 kHz  
1.0  
0.5  
Peak non-repetitive reverse energy (8/20 µs waveform)  
per diode  
25  
25  
mJ  
kV  
Electrostatic discharge capacitor voltage human body  
model: C = 100 pF, R = 1.5 kΩ  
Document Number: 88675  
Revision: 08-Nov-07  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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MBRF2545CT-E3/45 替代型号

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