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MBRF2045CTR PDF预览

MBRF2045CTR

更新时间： 2024-01-12 11:40:36
品牌 Logo 应用领域
THINKISEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 504K
描述
20 Amperes Insulated Dual Common Anode Schottky Half Bridge Rectifiers

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MBRF2045CTR 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.17Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.84 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：45 V最大反向电流：1000 µA
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBRF2045CTR 数据手册

 浏览型号MBRF2045CTR的Datasheet PDF文件第2页 
MBRF2045CTR thru MBRF20200CTR  
MBRF2045CTR/MBRF2060CTR/MBRF20100CTR/MBRF20200CTR  
Pb Free Plating Product  
20 Amperes Insulated Dual Common Anode Schottky Half Bridge Rectifiers  
ITO-220AB  
Unit : inch (mm)  
Features  
ꢀ
.189(4.8)  
.165(4.2)  
Standard MBR matured technology with high reliablity  
.406(10.3)  
.381(9.7)  
.134(3.4)  
.118(3.0)  
ꢀ Low forward voltage drop  
ꢀ High current capability  
ꢀ Low reverse leakage current  
ꢀ High surge current capability  
Application  
.130(3.3)  
.114(2.9)  
Automotive Inverters and Solar Inverters  
Plating Power Supply,SMPS,EPS and UPS  
Car Audio Amplifiers and Sound Device Systems  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
.114(2.9)  
.098(2.5)  
.071(1.8)  
.055(1.4)  
.055(1.4)  
.039(1.0)  
.035(0.9)  
.011(0.3)  
.032(.8)  
MAX  
Mechanical Data  
.1  
(2.55)  
.1  
ꢀ Case: Fully Isolated Molding TO-220F Full Plastic Pak  
ꢀ Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant  
ꢀ Terminals: Solderable per MIL-STD-202  
method 208  
(2.55)  
Case  
Case  
Case  
Case  
ꢀ Polarity: As marked on diode body  
ꢀ Mounting position: Any  
ꢀ Weight: 2.0 gram approximately  
Doubler  
Tandem Polarity Tandem Polarity  
Suffix "CTD" Suffix "CTS"  
Series  
Negative  
Common Cathode Common Anode  
Suffix "CT" Suffix "CTR"  
Positive  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
MBRF2045CTR MBRF2060CTR MBRF20100CTR MBRF20200CTR  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
45  
31  
45  
60  
42  
60  
100  
70  
200  
140  
200  
V
V
V
A
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forward rectified current  
IF(AV)  
20  
20  
Peak repetitive forward current  
(Rated VR, Square Wave, 20KHz)  
IFRM  
A
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
IRRM  
150  
A
A
Peak repetitive reverse surge current (Note 1)  
1
0.5  
Maximum instantaneous forward voltage (Note 2)  
IF=10A, TJ=25℃  
-
0.80  
0.70  
0.95  
0.85  
0.85  
0.75  
0.95  
0.85  
0.99  
0.87  
1.23  
1.10  
IF=10A, TJ=125℃  
VF  
0.57  
0.84  
0.72  
V
IF=20A, TJ=25℃  
IF=20A, TJ=125℃  
0.1  
Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃  
TJ=125 ℃  
IR  
mA  
15  
10  
5
0.15  
Voltage rate of change (Rated VR)  
Typical thermal resistance  
10000  
dV/dt  
RθJC  
TJ  
V/μs  
°C/W  
°C  
2.5  
3.5  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
- 55 to +150  
- 55 to +150  
TSTG  
°C  
Note 1: tp = 2.0 μs, 1.0KHz  
Note 2: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle  
Rev.07C  
© 2006 Thinki Semiconductor Co., Ltd.  
Page 1/2  
http://www.thinkisemi.com/  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBRF2045CT-T CITC

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