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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MBRB20100CTSTRLPBF
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MBRB20100CTSTRLPBF

更新时间： 2024-11-23 13:11:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 132K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, SMD-220, 3 PIN

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MBRB20100CTSTRLPBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.13Is Samacsys：N
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：2相数：1
端子数量：2最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBRB20100CTSTRLPBF 数据手册

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MBRB20..CT/MBR20..CT-1  
Vishay High Power Products  
Schottky Rectifier, 2 x 10 A  
FEATURES  
MBR20..CT-1  
MBRB20..CT  
• 150 °C TJ operation  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• Center tap D2PAK and TO-262 packages  
Base  
Base  
common  
cathode  
common  
cathode  
• High purity, high temperature epoxy encapsulation for  
enhanced mechanical strength and moisture resistance  
2
2
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
• Designed and qualified for Q101 level  
2
2
1
1
3
3
Common  
cathode  
Common  
cathode  
DESCRIPTION  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
This center tap Schottky rectifier has been optimized for low  
reverse leakage at high temperature. The proprietary barrier  
technology allows for reliable operation up to 150 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
D2PAK  
TO-262  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
2 x 10 A  
VR  
80 to 100 V  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
IFRM  
CHARACTERISTICS  
Rectangular waveform (per device)  
TC = 133 °C (per leg)  
VALUES  
20  
UNITS  
A
20  
VRRM  
IFSM  
80 to 100  
850  
V
A
tp = 5 µs sine  
10 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
VF  
0.70  
V
TJ  
- 65 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
MBRB2080CT  
MBR2080CT-1  
MBRB2090CT  
MBR2090CT-1  
MBRB20100CT  
MBR20100CT-1  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
80  
90  
100  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
IF(AV)  
IFRM  
TEST CONDITIONS  
TC = 133 °C, rated VR  
Rated VR, square wave, 20 kHz, TC = 133 °C  
VALUES  
UNITS  
per leg  
10  
20  
20  
Maximum average  
forward current  
per device  
Peak repetitive forward current per leg  
5 µs sine or 3 µs rect.  
pulse  
Following any rated load ondition  
and with rated VRRM applied  
A
850  
150  
Non-repetitive peak surge current  
IFSM  
Surge applied at rated load conditions halfwave,  
single phase, 60 Hz  
Peak repetitive reverse surge current  
Non-repetitive avalanche energy per leg  
IRRM  
EAS  
2.0 µs, 1.0 kHz  
0.5  
24  
TJ = 25 °C, IAS = 2 A, L = 12 mH  
mJ  
Document Number: 93444  
Revision: 21-Aug-08  
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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与MBRB20100CTSTRLPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBRB20100CTT4 ONSEMI

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 		SWITCHMODE⑩ Power Rectifier D2PAK Surface Mou
MBRB20100CTT4 MOTOROLA

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 		10A, 100V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MBRB20100CT-T4 SENSITRON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, D2PAK-3
MBRB20100CTT4G ONSEMI

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 		SWITCHMODE⑩ Power Rectifier D2PAK Surface Mou
MBRB20100CT-TP ETC

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 		MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 20736 MARILLA STREET CHATSWORTH
MBRB20100CT-TP-HF MCC

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, D2PACK-3/2
MBRB20100CTTR INFINEON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon
MBRB20100CTTRL VISHAY

获取价格

 		Schottky Rectifier, 2 x 10 A
MBRB20100CTTRLP VISHAY

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 		Schottky Rectifier, 2 x 10 A
MBRB20100CTTRLPBF VISHAY

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 		Schottky Rectifier, 2 x 10 A

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