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MBRB10H100-E3/31 PDF预览

MBRB10H100-E3/31

更新时间： 2024-01-15 23:20:40
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
5页 132K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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MBRB10H100-E3/31 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.49其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：250 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBRB10H100-E3/31 数据手册

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MBR(F,B)10H90 & MBR(F,B)10H100  
New Product  
Vishay General Semiconductor  
High-Voltage Schottky Rectifier  
High Barrier Technology for improved high temperature performance  
FEATURES  
TO-220AC  
ITO-220AC  
• Guardring for overvoltage protection  
• Lower power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
2
• High forward surge capability  
2
1
1
MBR10H90  
• High frequency operation  
MBRF10H90  
MBR10H100  
MBRF10H100  
PIN 1  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020C, LF max peak  
PIN 1  
CASE  
PIN 2  
of 245 °C (for TO-263AB package)  
PIN 2  
TO-263AB  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds (for TO-220AC &  
ITO-220AC package)  
K
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
2
1
MBRB10H90  
TYPICAL APPLICATIONS  
MBRB10H100  
PIN 1  
K
For use in high frequency rectifier of switching mode  
power supplies, freewheeling diodes, dc-to-dc  
converters or polarity protection application.  
PIN 2  
HEATSINK  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AC, ITO-220AC, TO-263AB  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
10 A  
90 V, 100 V  
250 A  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
0.64 V  
IR  
4.5 µA  
Tj max  
175 °C  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
C
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
VRWM  
VDC  
MBR10H90 MBR10H100  
UNIT  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
90  
90  
90  
100  
100  
100  
V
Maximum DC blocking voltage  
V
Maximum average forward rectified current  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load  
Peak repetitive reverse current at tp = 2 µs, 1 kHz  
Voltage rate of change (rated VR)  
IF(AV)  
10  
250  
A
IFSM  
A
IRRM  
0.5  
A
dv/dt  
10000  
V/µs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 65 to + 175  
Isolation voltage (ITO-220AC only)  
From terminal to heatsink t = 1 minute  
VAC  
1500  
V
Document Number 88667  
28-Jun-06  
www.vishay.com  
1
12345

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与MBRB10H100-E3/31相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBRB10H100-E3/45 VISHAY

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 		High-Voltage Schottky Rectifier
MBRB10H100-E3/81 VISHAY

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 		High-Voltage Schottky Rectifier
MBRB10H100HE3/45 VISHAY

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 		High-Voltage Schottky Rectifier
MBRB10H100-HE3/45 VISHAY

获取价格

 		DIODE 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3,
MBRB10H100HE3/81 VISHAY

获取价格

 		High-Voltage Schottky Rectifier
MBRB10H150CT-1 KERSEMI

获取价格

 		Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0
MBRB10H150CT-1 VISHAY

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 		Dual High-Voltage Schottky Rectifiers
MBRB10H150CT-1-E3 VISHAY

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 		DIODE 5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode
MBRB10H35 KERSEMI

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 		Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94 V-0
MBRB10H35 VISHAY

获取价格

 		Schottky Barrier Rectifiers

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