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MBRB10H35-E3/45

更新时间： 2024-02-09 06:39:17

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
5页	131K
描述
DIODE 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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MBRB10H35-E3/45 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.51
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.55 V	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	35 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MBRB10H35-E3/45 数据手册

MBR(F,B)10H35 thru MBR(F,B)10H60

Vishay General Semiconductor

Schottky Barrier Rectifier

High Barrier Technology for Improved High Temperature Performance

FEATURES

TO-220AC

ITO-220AC

• Guardring for overvoltage protection

• Lower power losses, high efficiency

• Low forward voltage drop

• Low leakage current

• High forward surge capability

• High frequency operation

MBR10Hxx

MBRF10Hxx

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 245 °C (for TO-263AB package)

PIN 1

CASE

PIN 2

• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AC and

ITO-220AC package)

TO-263AB

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

MBRB10Hxx

For use in low voltage, high frequency rectifier of

switching mode power supplies, freewheeling diodes,

dc-to-dc converters or polarity protection application.

PIN 1

HEATSINK

PIN 2

MECHANICAL DATA

Case: TO-220AC, ITO-220AC, TO-263AB

Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

10 A

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class

1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade

(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2

whisker test

V_RRM

I_FSM

V_F

35 V to 60 V

150 A

0.55 V, 0.61 V

100 µA

I_R

T_Jmax.

175 °C

Polarity: As marked

Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL MBR10H35 MBR10H45 MBR10H50 MBR10H60 UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

Working peak reverse voltage

V_RRM

V_RWM

V_DC

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current (Fig. 1)

Non-repetitive avalanche energy at 25 °C, I_AS= 4 A, L = 10 mH

I_F(AV)

E_AS

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

150

Peak repetitive reverse current at t_p= 2.0 µs, 1 kHz

Peak non-repetitive reverse energy (8/20 µs waveform)

I_RRM

1.0

0.5

E_RSM

Electrostatic discharge capacitor voltage human body model:

C = 100 pF, R = 1.5 kΩ

V_C

Voltage rate of change (rated V_R)

dV/dt

10 000

V/µs

Document Number: 88780

Revision: 19-May-08

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MBRB10H35-HE3/81	VISHAY	获取价格	DIODE 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
MBRB10H45	VISHAY	获取价格	Schottky Barrier Rectifier
MBRB10H45/45	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 10A, 45V V(RRM),
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MBRB10H45/81-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode
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