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MBRB1050 PDF预览

MBRB1050

更新时间： 2024-11-01 22:51:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 74K
描述
SCHOTTKY RECTIFIER

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MBRB1050 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.64Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.95 V最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1最高工作温度：150 °C
最大输出电流：10 A最大重复峰值反向电压：50 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
Base Number Matches：1

MBRB1050 数据手册

 浏览型号MBRB1050的Datasheet PDF文件第2页 
MBRB1035 THRU MBRB1060  
SCHOTTKY RECTIFIER  
Reverse Voltage - 35 to 60 Volts  
Forward Current - 10.0 Amperes  
TO-263AB  
FEATURES  
♦ Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classifications 94V-0  
0.160 (4.06)  
0.190 (4.83)  
0.380 (9.65)  
0.420 (10.67)  
♦ Metal silicon junction, majority carrier conduction  
♦ Low power loss, high efficiency  
0.045 (1.14)  
0.055 (1.40)  
0.245 (6.22)  
MIN  
♦ High current capability,  
K
low forward voltage drop  
♦ High surge capability  
0.047 (1.19)  
0.320 (8.13)  
0.360 (9.14)  
0.055 (1.40)  
0.575 (14.60)  
0.625 (15.88)  
♦ For use in low voltage, high frequency inverters, free  
wheeling, and polarity protection applications  
♦ Guardring for overvoltage protection  
♦ High temperature soldering in accordance with  
CECC 802 / Reflow guaranteed  
K
1
2
SEATING  
PLATE  
0.090 (2.29)  
-T-  
0.110 (2.79)  
0.018 (0.46)  
0.025 (0.64)  
0.095 (2.41)  
0.100 (2.54)  
0.080 (2.03)  
0.110 (2.79)  
0.027 (0.686)  
0.037 (0.940)  
MECHANICAL DATA  
Case: JEDEC TO-263AB molded plastic body  
Terminals: Leads solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
PIN 1  
PIN 2  
K - HEATSINK  
Polarity: As marked  
Mounting Position: Any  
Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
SYMBOLS  
VRRM  
VRWM  
VDC  
MBRB1035  
MBRB1045  
MBRB1050  
MBRB1060  
UNITS  
Volts  
Volts  
Volts  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
Maximum DC blocking voltage  
35  
35  
35  
45  
45  
45  
50  
50  
50  
60  
60  
60  
Maximum average forward rectified current  
(SEE FIG. 1)  
I(AV)  
10.0  
20.0  
Amps  
Amps  
Peak repetitive forward current at TC=135°C  
(square wave 20 KHZ)  
IFRM  
Peak forward surge current  
8.3ms single half sine-wave superimposed  
on rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
150.0  
Amps  
Peak repetitive reverse surge current (NOTE 1)  
Voltage rate of change (rated VR)  
IRRM  
dv/dt  
1.0  
0.5  
Amps  
10,000  
V/µs  
Maximum instantaneous  
forward voltage at (NOTE 2) IF=10A, TC=125°C  
IF=20A, TC=25°C  
IF=10A, TC=25°C  
-
0.80  
0.70  
0.95  
0.85  
0.57  
0.84  
0.72  
Volts  
VF  
IF=20A, TC=125°C  
Maximum instantaneous reverse current at rated  
DC blocking voltage  
TC= 25°C  
(NOTE 2) TC=125°C  
IR  
0.10  
15.0  
mA  
Maximum thermal resistance, junction to case  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
RΘJC  
TJ  
2.0  
°C/W  
°C  
-65 to +150  
-65 to +175  
TSTG  
°C  
NOTES:  
(1) 2.0µs pulse width, f=1.0 KHZ  
(2) Pulse test: 300µs pulse width, 1% duty cycle  
4/98  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBRB1050/31-E3 VISHAY

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 		DIODE 10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode
MBRB1050/45-E3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 50V V(RRM), Silicon, TO-263AB, PLASTIC
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 		Rectifier Diode,

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