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MBR890L PDF预览

MBR890L

更新时间： 2024-02-03 09:52:29
品牌 Logo 应用领域
SIRECTIFIER 二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，高结温低漏电流肖特基势垒二极管High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes，Tj = -65°C ~ 175°C, Tjm = 175°C。

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MBR890L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AC包装说明：R-PSFM-T2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.47其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.72 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：230 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：90 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR890L 数据手册

 浏览型号MBR890L的Datasheet PDF文件第2页 
MBR870L thru MBR8100L  
Wide Temperature Range and High Tjm Schottky Barrier Rectifiers  
Dimensions TO-220AC  
Dim.  
Inches  
Min. Max.  
Milimeter  
Min. Max.  
A
C
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
Q
0.500 0.580  
0.560 0.650  
0.380 0.420  
0.139 0.161  
2.300 0.420  
0.100 0.135  
0.045 0.070  
12.70 14.73  
14.23 16.51  
9.66 10.66  
A
C
C(TAB)  
3.54  
5.85  
2.54  
1.15  
-
4.08  
6.85  
3.42  
1.77  
6.35  
0.89  
5.33  
4.82  
0.56  
2.49  
1.39  
A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode  
VRRM  
V
VRMS  
V
VDC  
V
-
0.250  
0.025 0.035  
0.190 0.210  
0.140 0.190  
0.015 0.022  
0.080 0.115  
0.025 0.055  
0.64  
4.83  
3.56  
0.38  
2.04  
0.64  
MBR870L  
MBR880L  
MBR890L  
MBR8100L  
70  
49  
56  
63  
70  
70  
80  
80  
90  
90  
100  
100  
Symbol  
Characteristics  
Maximum Ratings  
Unit  
I(AV)  
IFSM  
dv/dt  
VF  
Maximum Average Forward Rectified Current @TC=125oC  
8
A
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave  
Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD)  
230  
Voltage Rate Of Change (Rated VR)  
10000  
V/us  
V
IF=8A @TJ=25oC  
Maximum Forward  
0.72  
0.58  
IF=8A @TJ=125oC  
Voltage (Note 1)  
Maximum DC Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ=25oC  
0.55  
7
IR  
mA  
@TJ=125oC  
2.0  
oC/W  
pF  
oC  
ROJC  
CJ  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
Typical Junction Capacitance (Note 3)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
280  
-55 to +150  
-55 to +175  
TJ  
TSTG  
oC  
NOTES: 1. 300us Pulse Width, Duty Cycle 2%.  
2. Thermal Resistance Junction To Case.  
3. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.  
FEATURES  
MECHANICAL DATA  
* Metal of silicon rectifier, majority carrier conducton  
* Guard ring for transient protection  
* Low power loss, high efficiency  
* High current capability, low VF  
* Case: TO-220AC molded plastic  
* Polarity: As marked on the body  
* Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams  
* Mounting position: Any  
* High surge capacity  
* For use in low voltage, high frequency inverters, free  
whelling, and polarity protection applications  
12

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