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MBR8H100MFST1G

更新时间： 2024-02-08 19:26:36
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 67K
描述
Switch Mode Power Rectifiers

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MBR8H100MFST1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SO-8FL, DFN6, 6 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：5 weeks
风险等级：1.47其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.9 V
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：75 A
元件数量：1相数：1
端子数量：5最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：2 µA
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR8H100MFST1G 数据手册

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MBR8H100MFS,  
NRVB8H100MFS  
Switch Mode  
Power Rectifiers  
Features  
• Low Power Loss / High Efficiency  
www.onsemi.com  
• New Package Provides Capability of Inspection and Probe After  
Board Mounting  
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIERS  
• Guardring for Stress Protection  
• Low Forward Voltage Drop  
8 AMPERES  
100 VOLTS  
• 175°C Operating Junction Temperature  
• WF Suffix for Products with Wettable Flanks  
• NRVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
5,6  
1,2,3  
• These are Pb−Free Devices  
Mechanical Characteristics:  
MARKING  
DIAGRAM  
• Case: Epoxy, Molded  
A
C
C
• Epoxy Meets Flammability Rating UL 94−0 @ 0.125 in.  
• Lead Finish: 100% Matte Sn (Tin)  
1
B8H100  
AYWZZ  
A
A
SO−8 FLAT LEAD  
CASE 488AA  
STYLE 2  
Not Used  
• Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes:  
260°C Max. for 10 Seconds  
B8H100 = Specific Device Code  
• Device Meets MSL 1 Requirements  
A
Y
W
ZZ  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Lot Traceability  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
RRM  
V
RWM  
V
100  
8.0  
R
ORDERING INFORMATION  
Average Rectified Forward Current  
I
A
A
F(AV)  
†
Device  
Package Shipping  
(Rated V , T = 165°C)  
R
C
MBR8H100MFST1G  
SO−8 FL 1500 /  
Peak Repetitive Forward Current,  
I
16  
75  
FRM  
(Pb−Free) Tape & Reel  
SO−8 FL 5000 /  
(Rated V , Square Wave,  
R
20 kHz, T = 162°C)  
C
MBR8H100MFST3G  
NRVB8H100MFST1G  
Non−Repetitive Peak Surge Current  
(Surge Applied at Rated Load  
Conditions Halfwave, Single  
Phase, 60 Hz)  
I
A
(Pb−Free) Tape & Reel  
SO−8 FL 1500 /  
(Pb−Free) Tape & Reel  
SO−8 FL 5000 /  
(Pb−Free) Tape & Reel  
NRVB8H100MFSWFT1G SO−8 FL 1500 /  
(Pb−Free) Tape & Reel  
FSM  
NRVB8H100MFST3G  
Storage Temperature Range  
T
−65 to +175  
−55 to +175  
75  
°C  
°C  
mJ  
stg  
Operating Junction Temperature  
T
J
Unclamped Inductive Switching  
Energy (10 mH Inductor,  
Non−repetitive)  
E
AS  
NRVB8H100MFSWFT3G SO−8 FL  
5000 /  
ESD Rating (Human Body Model)  
ESD Rating (Machine Model)  
3B  
(Pb−Free) Tape & Reel  
M4  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
NOTE: The heat generated must be less than the thermal conductivity from  
Junction−to−Ambient: dPD/dTJ < 1/RJA  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
August, 2015 − Rev. 2  
MBR8H100MFS/D  
1234

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MBR8H100MFST1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBR8H100MFST3G ONSEMI

完全替代

 Switch Mode Power Rectifiers
NRVB8H100MFST3G ONSEMI

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MBR8H100MFST3G ONSEMI

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 		TO-277C
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 		Tape&Reel: 4Kpcs/Reel;
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