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MBR3100RL PDF预览

MBR3100RL

更新时间： 2024-09-26 00:00:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管功效
页数 文件大小 规格书
4页 57K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 3.0 AMPERES 100 VOLTS

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MBR3100RL 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：DO-201AD包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.11Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.79 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

MBR3100RL 数据手册

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MBR3100  
Preferred Device  
Axial Lead Rectifier  
. . . employing the Schottky Barrier principle in a large area  
metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features  
epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap  
contact. Ideally suited for use as rectifiers in low- voltage,  
high- frequency inverters, free wheeling diodes, and polarity  
protection diodes.  
http://onsemi.com  
• Low Reverse Current  
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIER  
• Low Stored Charge, Majority Carrier Conduction  
• Low Power Loss/High Efficiency  
• Highly Stable Oxide Passivated Junction  
• Guard-Ring for Stress Protection  
• Low Forward Voltage  
3.0 AMPERES  
100 VOLTS  
• 150°C Operating Junction Temperature  
• High Surge Capacity  
Mechanical Characteristics:  
• Case: Epoxy, Molded  
• Weight: 1.1 gram (approximately)  
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal  
Leads are Readily Solderable  
• Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes:  
220°C Max. for 10 Seconds, 1/16″ from case  
• Shipped in plastic bags, 500 per bag  
• Available Tape and Reeled, 1500 per reel, by adding a “RL’’ suffix to  
the part number  
AXIAL LEAD  
CASE 267-05  
(DO-201AD)  
STYLE 1  
• Polarity: Cathode indicated by Polarity Band  
• Marking: B3100  
MARKING DIAGRAM  
MBR  
3100  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Max  
Unit  
MBR3100 = Device Code  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
100  
V
RRM  
RWM  
V
R
Average Rectified Forward Current  
I
3.0  
A
A
O
T = 100°C (R  
= 28°C/W,  
q
JA  
ORDERING INFORMATION  
A
P.C. Board Mounting, see Note 2)  
Device  
Package  
Axial Lead  
Axial Lead  
Shipping  
Non-Repetitive Peak Surge Current  
(Surge Applied at Rated Load  
Conditions Halfwave, Single  
Phase, 60 Hz)  
I
150  
FSM  
MBR3100  
500 Units/Bag  
MBR3100RL  
1500/Tape & Reel  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
(Reverse Voltage Applied)  
T , T  
-65 to +150  
10  
°C  
J
stg  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Voltage Rate of Change (Rated V )  
dv/dt  
V/ns  
R
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
April, 2003 - Rev. 3  
MBR3100/D  
1234

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MBR3100RL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBR3100RLG ONSEMI

完全替代

 Axial Lead Rectifier
MBR3100G ONSEMI

类似代替

 Axial Lead Rectifier
SB3100 FAIRCHILD

功能相似

 Schottky Rectifiers

与MBR3100RL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR3100RLG ONSEMI

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MBR3100RLG ROCHESTER

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
MBR3100VP-E1 DIODES

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-27,
MBR3100VPTR-E1 DIODES

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-27,
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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC,
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