是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-201AD |
包装说明: | O-PALF-W2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.36 |
其他特性: | FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY | 应用: | GENERAL PURPOSE |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-201AD | JESD-30 代码: | O-PALF-W2 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值正向电流: | 180 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流: | 3 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
技术: | SCHOTTKY | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBR3100VP-E1 | DIODES |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-27, | |
MBR3100VPTR-E1 | DIODES |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-27, | |
MBR3100VRTR-G1 | DIODES |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, | |
MBR310AFC | PANJIT |
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SMAF-C | |
MBR310AFC-AU | PANJIT |
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SMAF-C | |
MBR3150 | PANJIT |
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SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS | |
MBR3150 | UTC |
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barrier rectifier | |
MBR3150DS | YFW |
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Surface Mount Schottky Barrier Rectifier | |
MBR3150G-SMA-R | UTC |
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RECTIFIER DIODE, | |
MBR3150G-Z21D-R | UTC |
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Low forward voltage drop, High Current Capability |