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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.06 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 应用： | HIGH VOLTAGE POWER |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.85 V | JEDEC-95代码： | DO-27 |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 80 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 3 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 最大反向电流： | 500 µA | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MBR3100VPTR-E1 | DIODES |
完全替代  |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-27, |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBR3100VPTR-E1 | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-27, |
|
| MBR3100VRTR-G1 | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, |
|
| MBR310AFC | PANJIT |
获取价格 |
SMAF-C |
|
| MBR310AFC-AU | PANJIT |
获取价格 |
SMAF-C |
|
| MBR3150 | PANJIT |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
|
| MBR3150 | UTC |
获取价格 |
barrier rectifier |
|
| MBR3150DS | YFW |
获取价格 |
Surface Mount Schottky Barrier Rectifier |
|
| MBR3150G-SMA-R | UTC |
获取价格 |
RECTIFIER DIODE, |
|
| MBR3150G-Z21D-R | UTC |
获取价格 |
Low forward voltage drop, High Current Capability |
|
| MBR3150L-SMA-R | UTC |
获取价格 |
RECTIFIER DIODE, |
|
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