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MBR30H100CTC0

更新时间： 2024-02-02 01:33:09
品牌 Logo 应用领域
TSC 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 213K
描述
Dual Common Cathode Schottky Rectifier

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MBR30H100CTC0 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.36
其他特性：LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.98 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：10 µA子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

MBR30H100CTC0 数据手册

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MBR30H100CT  
Taiwan Semiconductor  
CREAT BY ART  
Dual Common Cathode Schottky Rectifier  
FEATURES  
- Low power loss, high efficiency  
- Guardring for overvoltage protection  
- High surge current capability  
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and  
in accordance to WEEE 2002/96/EC  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
MECHANICAL DATA  
TO-220AB  
Case: TO-220AB  
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0  
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free  
Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102  
Meet JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: As marked  
Mounting torque: 5 in-lbs maximum  
Weight: 1.9 g (approximately)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
PARAMETER  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
MBR30H100CT  
SYMBOL  
VRRM  
UNIT  
100  
V
V
V
A
Maximum RMS voltage  
VRMS  
70  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
VDC  
100  
30  
IF(AV)  
Peak repetitive forward current  
(Rated VR, square wave, 20KHz)  
IFRM  
30  
A
Peak forward surge current, 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
IRRM  
150  
1
A
A
Peak repetitive reverse surge current (Note 1)  
Maximum instantaneous forward voltage (Note 2)  
IF=15A, TJ=25℃  
0.85  
0.75  
0.98  
0.85  
IF=15A, TJ=125℃  
VF  
V
IF=30A, TJ=25℃  
IF=30A, TJ=125℃  
Maximum reverse current @ rated VR  
TJ=25 ℃  
IR  
10  
2
μA  
mA  
TJ=125 ℃  
Voltage rate of change (Rated VR)  
Typical thermal resistance  
10000  
2
dV/dt  
RθJC  
TJ  
V/μs  
OC/W  
OC  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
- 55 to +175  
- 55 to +175  
OC  
TSTG  
Note 1: tp = 2.0 μs, 1.0KHz  
Note 2: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle  
Document Number: DS_D1308032  
Version: I13  
1234

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