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MBR3040CTE3/TU

更新时间： 2024-11-20 15:40:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
3页 151K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 40V V(RRM), Silicon, TO-220AB,

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MBR3040CTE3/TU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.62其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.7 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：275 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：40 V最大反向电流：50 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

MBR3040CTE3/TU 数据手册

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MBR3040CT to MBR30200CT  
Schottky Barrier Rectifiers  
Main product characteristics  
2
IF(AV)  
VRRM  
Tj(MAX)  
30A (2 x 15A)  
40V to 200V  
175ºC  
RoHS  
COMPLIANT  
1
2
3
1
2
3
Features and benefits  
•
•
•
•
•
Plastic package with UL 94V-0 flammability classification  
TO-220AB  
Flame retardant epoxy molding component  
Guardring for overvoltage protection  
Low power loss, high efficiency  
RoHS compliant (2002/95/EC)  
Description and applications  
Double Schottky configuration for use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling and  
polarity protection applications. The Metal silicon junction means the devices are majority carrier conduction  
leading to low power loss and high efficiency.  
Electrical characteristics(1)  
Unit  
Symbol  
Parameter  
VRRM  
VR(RMS)  
VR  
Max Peak Repetitive Reverse Voltage  
Max RMS Reverse Voltage  
40  
28  
40  
45  
31.5  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
30  
90  
63  
90  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
V
V
V
A
Max DC Blocking Voltage  
100  
IF(AV)  
Max average forward current (see fig.1)  
Non repetitive peak forward surge current  
(8.3ms single half sine wave)  
IFSM  
VF  
275  
A
V
Max forward voltage @ 15A (per leg)  
0.70  
0.75  
0.80  
0.90  
Maximum instantaneous  
reverse current at rated VR  
TJ = 25ºC  
0.05  
20  
(2)  
IR  
mA  
ºC  
TJ = 125ºC  
-55 to +150  
TSTG, TJ  
Storage and Junction temperature  
-65 to +175  
(1) All ratings at 25ºC unless specified otherwise  
(2) Measured with a test pulse of 380µs to minimize self-heating effect  
Copyright © 2010  
June 2010 Rev B  
1/3  
www.Microsemi.com  
123

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