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MBR20L100CT

更新时间： 2024-02-11 02:30:01

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描述
20.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE

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MBR20L100CT 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.81 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-50 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向电流：	100 µA
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

MBR20L100CT 数据手册

Zibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd.

MBR20L40CT – MBR20L200CT

20.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE

Features

Schottky Barrier Chip

Ideally Suited for Automatic Assembly

Low Power Loss, High Efficiency

For Use in Low Voltage Application

Guard Ring Die Construction

Plastic Case Material has UL Flammability

Cꢀ lꢀassification Rating 94V-O

ꢀ ꢀ ꢀ

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

TO-220AB

Min

Dim

Max

15.90

10.70

3.43

13.90

9.60

2.54

5.75

6.85

3.56

4.56

Mechanical Data

12.70

2.29

14.73

2.79

Case:TO-220AB, Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

0.51

1.14

3.53Æ 4.09Æ

Polarity: See Diagram

3.56

1.10

0.30

2.03

4.83

1.40

0.64

2.92

Mounting Position: Any

Lead Free: For RoHS / Lead Free Version

Pin 1 +

Pin 2 -

Pin 3 +

Case

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

MBR

Units

Characteristic

Symbol

20L40 20L45 20L50 20L60 20L100 20L150 20L200

150

200

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RW^M

V^R

100

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

20.0

105

140

Average Rectified Output Current @T_L= 75°C

(Note 1)

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms

Single half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC Method)

FSM

200

0.45

350

0.55

0.70

0.85

Forward Voltage

@I_F= 20A

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 25°C

@T_A= 100°C

0.1

I^RM

280

°C/W

°C

Typical Junction Capacitance (Note 2)

Typical Thermal Resistance (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

200

2.0

R^ꢀ^JA

3.0

-55 to +150

T^j, T^STG

-55 to +175

Note: 1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.

2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

www.senocn.com

MBR20L40CT-MBR20L200CT

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