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MBR20100-1PBF

更新时间： 2024-11-02 20:27:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 133K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

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MBR20100-1PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life零件包装代码：TO-262AA
包装说明：R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.58
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3最大非重复峰值正向电流：850 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR20100-1PBF 数据手册

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MBRB2080/90/100CTPbF, MBR2080/90/100CT-1PbF  
Vishay High Power Products  
Schottky Rectifier,  
2 x 10 A  
FEATURES  
MBR20..CT-1PbF  
MBRB20..CTPbF  
• 150 °C TJ operation  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• Center tap D2PAK and TO-262 packages  
Base  
Base  
• High purity, high temperature epoxy encapsulation for  
enhanced mechanical strength and moisture resistance  
common  
cathode  
common  
cathode  
2
2
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
• Lead (Pb)-free  
• Designed and qualified for Q101 level  
2
2
1
1
3
3
Common  
cathode  
Common  
cathode  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
DESCRIPTION  
D2PAK  
TO-262  
This center tap Schottky rectifier has been optimized for low  
reverse leakage at high temperature. The proprietary barrier  
technology allows for reliable operation up to 150 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
2 x 10 A  
VR  
80 to 100 V  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
IFRM  
CHARACTERISTICS  
Rectangular waveform (per device)  
TC = 133 °C (per leg)  
VALUES  
20  
UNITS  
A
20  
VRRM  
IFSM  
80 to 100  
850  
V
A
tp = 5 µs sine  
10 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
VF  
0.70  
V
TJ  
- 65 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
MBRB2080CTPbF  
MBR2080CT-1PbF  
MBRB2090CTPbF  
MBR2090CT-1PbF  
MBRB20100CTPbF  
MBR20100CT-1PbF  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
80  
90  
100  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
IF(AV)  
IFRM  
TEST CONDITIONS  
TC = 133 °C, rated VR  
Rated VR, square wave, 20 kHz, TC = 133 °C  
VALUES  
UNITS  
per leg  
10  
20  
20  
Maximum average  
forward current  
per device  
Peak repetitive forward current per leg  
5 µs sine or 3 µs rect.  
pulse  
Following any rated load ondition  
and with rated VRRM applied  
A
850  
150  
Non-repetitive peak surge current  
IFSM  
Surge applied at rated load conditions halfwave,  
single phase, 60 Hz  
Peak repetitive reverse surge current  
Non-repetitive avalanche energy per leg  
IRRM  
EAS  
2.0 µs, 1.0 kHz  
0.5  
24  
TJ = 25 °C, IAS = 2 A, L = 12 mH  
mJ  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 94306  
Revision: 01-Dec-08  
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR20100-1TRL INFINEON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ROHS C
MBR20100C DIODES

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 		HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER
MBR20100C UTC

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 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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