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MBR1540CT PDF预览

MBR1540CT

更新时间： 2024-01-11 13:14:33
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 69K
描述
15A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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MBR1540CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ITO-220AC, 2 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.68应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.63 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向电流：100 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

MBR1540CT 数据手册

 浏览型号MBR1540CT的Datasheet PDF文件第2页 
MBR1530CT - MBR1560CT  
15A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
TO-220AB  
·
·
·
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
High Current Capability and Low Forward  
Voltage Drop  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Applications  
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
L
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
14.22  
9.65  
2.54  
5.84  
¾
Max  
15.88  
10.67  
3.43  
B
M
C
D
E
·
·
K
A
6.86  
6.35  
1
2
3
G
H
J
12.70  
2.29  
0.51  
14.73  
2.79  
G
1.14  
J
N
Mechanical Data  
K
L
3.53Æ 4.09Æ  
·
·
Case: Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: As Marked on Body  
Marking: Type Number  
Weight: 2.24 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
3.56  
1.14  
0.30  
2.03  
4.83  
1.40  
0.64  
2.92  
H
H
P
M
N
P
Pin 1 +  
Pin 2 -  
Pin 3 +  
+
·
·
·
·
Case  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
MBR  
MBR  
MBR  
MBR  
MBR  
MBR  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
1530CT 1535CT 1540CT 1545CT 1550CT 1560CT  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
21  
35  
40  
28  
45  
50  
35  
60  
42  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
24.5  
31.5  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TC = 125°C  
15  
(Note 1)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
150  
A
Forward Voltage Drop  
@ IF = 7.5A, TC = 125°C  
0.57  
0.70  
0.65  
0.75  
VFM  
IRM  
V
@ IF = 7.5A, TC  
=
25°C  
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TC  
=
25°C  
0.1  
15  
1.0  
50  
mA  
@ TC = 125°C  
Cj  
Typical Junction Capacitance  
(Note 2)  
300  
1.7  
pF  
°C/W  
V/ms  
°C  
RqJc  
Typical Thermal Resistance Junction to Case  
Voltage Rate of Change (Rated VR)  
(Note 1)  
dV/dt  
Tj, TSTG  
1000  
10,000  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to +150  
Notes:  
1. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
DS23013 Rev. F-2  
1 of 2  
MBR1530CT - MBR1560CT  
12

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