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MBR2040CT PDF预览

MBR2040CT

更新时间： 2024-01-16 08:18:37
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 63K
描述
20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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MBR2040CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ITO-220AB, 3 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.19应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.84 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：40 V最大反向电流：100 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR2040CT 数据手册

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MBR2030CT - MBR2060CT  
20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
TO-220AB  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
14.48  
10.00  
2.54  
5.90  
2.80  
12.70  
2.40  
0.69  
3.54  
4.07  
1.15  
0.30  
2.04  
Max  
15.75  
10.40  
3.43  
6.40  
3.93  
14.27  
2.70  
0.93  
3.78  
4.82  
1.39  
0.50  
2.79  
·
·
·
·
Low Power Loss, High Efficiency  
L
High Surge Capability  
B
M
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop  
C
For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free  
Wheeling, and Polarity Protection Applications  
D
E
K
A
·
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 4)  
G
H
J
1
2
3
Mechanical Data  
·
·
Case: TO-220AB  
G
J
N
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
K
L
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
M
N
P
H
H
P
Terminals: Matte Tin Finish Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Pin 1  
Pin 2  
Pin 3  
Case  
·
·
·
Polarity: As Marked on Body  
Marking: Type Number  
All Dimensions in mm  
Weight: 2.24 grams (approx)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
MBR  
MBR  
MBR  
MBR  
MBR  
MBR  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
2030CT 2035CT 2040CT 2045CT 2050CT 2060CT  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
21  
35  
40  
28  
45  
50  
35  
60  
42  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
24.5  
31.5  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TC = 125°C  
20  
(Note 1)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
150  
A
Forward Voltage Drop (Note 3) @ IF = 20A, TC  
= 25°C  
0.84  
0.72  
0.57  
0.95  
0.85  
0.70  
VFM  
@ IF = 20A, TC = 125°C  
@ IF = 10A, TC = 125°C  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TC = 25°C  
@ TC = 125°C  
0.1  
15  
IRM  
mA  
CT  
RqJc  
Typical Total Capacitance  
(Note 2)  
650  
2.0  
pF  
°C/W  
V/ms  
°C  
Typical Thermal Resistance Junction to Case  
Voltage Rate of Change (Rated VR)  
(Note 1)  
dV/dt  
Tj, TSTG  
1000  
10,000  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to +150  
Notes:  
1. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. Pulse width £300 ms, duty cycle £2%.  
4. RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex Notes 5 and 7.  
DS23016 Rev. 9 - 2  
1 of 3  
MBR2030CT-MBR2060CT  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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