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MBR10200CT

更新时间: 2024-05-23 22:21:57
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蓝箭 - FOSHAN /
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6页 782K
描述
TO-220

MBR10200CT 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.61Is Samacsys:N
其他特性:FREE WHEELING DIODE应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流:128 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最大输出电流:5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

MBR10200CT 数据手册

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MBR10200CT  
Rev. H Oct.-2018  
DATA SHEET  
描述 / Descriptions  
TO-220 塑封封装 肖特基二极管。  
Schottky Barrier Diode in a TO-220 Plastic Package.  
特征 / Features  
损耗低,效率高。  
Low power loss, high efficiency.  
用途 / Applications  
用于高频、低压、大电流整流二极管,续流二极管,保护二极管。  
For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications.  
内部等效电路 / Equivalent Circuit  
引脚排列 / Pinning  
1
2
3
PIN1Anode  
PIN 2Cathode  
PIN 3Anode  
放大及印章代码 / hFE Classifications & Marking  
见印章说明。See Marking Instructions.  
http://www.fsbrec.com  
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