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MBR10200CT

更新时间： 2024-02-20 16:33:04
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TSC IOT
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2页 95K
描述
10.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers

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MBR10200CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：1.17
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.88 V
JEDEC-95代码：TO-277BJESD-30 代码：R-PDSO-F3
最大非重复峰值正向电流：180 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向电流：100 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR10200CT 数据手册

 浏览型号MBR10200CT的Datasheet PDF文件第2页 
MBR1030CT THRU MBR10200CT  
10.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers  
Voltage Range  
30 to 200 Volts  
Current  
10.0 Amperes  
TO-220  
Features  
ꢀ
Plastic material used carries Underwriters Laboratory  
Classifications 94V-0  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Metal silicon junction, majority carrier conduction  
Low power loss, high efficiency  
High current capability, low forward voltage drop  
High surge capability  
For use in low voltage, high frequency inverters, free  
wheeling, and polarity protection applications  
Guardring for overvoltage protection  
ꢀ
ꢀ
High temperature soldering guaranteed:  
260oC/10 seconds,0.25”(6.35mm)from case  
Mechanical Data  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Cases: JEDEC TO-220A molded plastic body  
Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: As marked  
Mounting position: Any  
Mounting torque: 5 in. - lbs. max  
Weight: 0.08 ounce, 2.24 grams  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR  
1030 1035 1040 1045 1050 1060 1010 1015 1020  
CT CT CT CT CT CT 0CT 0CT 0CT  
Type Number  
Symbol  
Units  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
30 35 40 45 50 60 100 150 200  
21 24 28 31 35 42 70 105 140  
30 35 40 45 50 60 100 150 200  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified Current  
at Tc=125OC  
I(AV)  
IFRM  
10  
32  
A
A
Peak Repetitive Forward Current (Rated VR,  
Square Wave, 20KHz) at Tc=125oC  
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half  
Sine-wave Superimposed on Rated Load  
(JEDEC method )  
IFSM  
IRRM  
VF  
120  
0.5  
A
A
V
Peak Repetitive Reverse Surge Current (Note 1)  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at:  
IF=5A, TC=25oC  
IF=5A, TC=125oC  
0.70  
0.57  
0.80  
0.65  
0.85 0.88 0.99  
0.75 0.78 0.87  
(Note 2)  
Maximum Instantaneous Reverse Current  
@ Tc =25℃ at Rated DC Blocking Voltage  
(Note 2)  
0.1  
0.8  
0.2  
IR  
mA  
Voltage Rate of Change (Rated VR)  
dV/dt  
V/uS  
℃/W  
℃
10,000  
1.5  
Maximum Typical Thermal Resistance (Note 3)  
RθJC  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
TJ  
-65 to +150  
-65 to +175  
℃
TSTG  
Notes: 1. 2.0us Pulse Width, f=1.0 KHz  
2. Pulse Test: 300us Pulse Width, 1% Duty Cycle  
3. Thermal Resistance from Junction to Case Per Leg, Mount on Heatsink Size of 2 in x 3 in x 0.25in Al-Plate.  
- 128 -  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COMPLIANT,
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