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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MBR10100CT
MBR10100CT PDF预览

MBR10100CT

更新时间： 2024-02-10 03:01:34
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 二极管瞄准线高压功效
页数 文件大小 规格书
2页 67K
描述
10A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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MBR10100CT 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSFM-T2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.6Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR10100CT 数据手册

 浏览型号MBR10100CT的Datasheet PDF文件第2页 
MBR1070CT - MBR10100CT  
10A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
TO-220AB  
·
·
·
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
High Current Capability and Low Forward  
Voltage Drop  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Applications  
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
L
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
14.22  
9.65  
2.54  
5.84  
¾
Max  
15.88  
10.67  
3.43  
B
M
C
D
E
·
·
K
A
6.86  
6.35  
1
2
3
G
H
J
12.70  
2.29  
0.51  
14.73  
2.79  
G
J
N
1.14  
Mechanical Data  
·
·
K
L
3.53Æ 4.09Æ  
Case: Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: As Marked on Body  
Weight: 2.24 grams (approx)  
Mounting Position: Any  
3.56  
1.14  
0.30  
2.03  
4.83  
1.40  
0.64  
2.92  
H H  
P
M
N
P
Pin 1  
Pin 2  
Pin 3  
·
·
·
·
Case  
All Dimensions in mm  
Marking: Type Number  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
MBR  
1070CT  
MBR  
1080CT  
MBR  
1090CT  
MBR  
10100CT  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
70  
49  
80  
56  
90  
63  
100  
70  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
10  
@ TC = 100°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
120  
A
Forward Voltage Drop  
@ IF = 5.0A, TC  
@ IF = 5.0A, TC  
@ IF = 10A, TC  
@ IF = 10A, TC  
=
=
=
=
125°C  
25°C  
125°C  
25°C  
0.75  
0.85  
0.85  
0.95  
VFM  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TC  
=
25°C  
0.1  
50  
IRM  
mA  
@ TC = 125°C  
Cj  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
300  
3.0  
pF  
K/W  
V/ms  
°C  
RqJC  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)  
Voltage Rate of Change  
dV/dt  
Tj, TSTG  
10,000  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to +150  
Notes:  
1. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
DS30028 Rev. A-2  
1 of 2  
MBR1070CT-MBR10100CT  
12

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