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MBR10100CT

更新时间： 2024-01-09 19:21:41
品牌 Logo 应用领域
强茂 - PANJIT 肖特基二极管瞄准线功效
页数 文件大小 规格书
2页 85K
描述
10 AMPERES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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MBR10100CT 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSFM-T2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.6Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR10100CT 数据手册

 浏览型号MBR10100CT的Datasheet PDF文件第2页 
MBR1040CT~MBR10200CT  
10 AMPERES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
VOLTAGE  
FEATURES  
40 to 200 Volts  
10 Amperes  
CURRENT  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-O.  
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.  
• Metal silicon junction, majority carrier conduction  
• Low power loss, high efficiency.  
• High current capability  
• Guardring for overvlotage protection  
• For use in low voltage,high frequency inverters  
free wheeling , and polarlity protection applications.  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
.058(1.47)  
.042(1.07)  
MECHANICALDATA  
• Case: TO-220AB molded plastic  
• Terminals: solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
• Polarity: As marked.  
• Mounting Position: Any  
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.  
MAXIMUMRATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
MBR1040CT MBR1045CT MBR1050CT MBR1060CT MBR1080CT MBR1090CT MBR10100CT MBR10150CT MBR10200CT  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR R M  
UNITS  
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
40  
28  
40  
45  
31.5  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
90  
63  
90  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
Maximum RMS Voltage  
VR M S  
V
V
A
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
100  
Maximum Average Forward Current (See  
fig.1)  
I
F(AV)  
10  
Peak Forward Surge Current :8.3ms single  
half sine-wave superimposed on rated  
load(JEDEC method)  
I
FSM  
150  
A
V
Maximum Forward Voltage at 5A, per leg  
V
F
0.7  
0.75  
0.8  
0.9  
Maximum DC Reverse Current TJ=25 OC  
0.05  
20  
I
R
mA  
at Rated DC Blocking Voltage TJ=125O  
Typical Thermal Resistance  
C
O C  
W
/
RθJC  
2
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
O C  
-55 to  
+ 150  
T
J
,TSTG  
-65 to  
+
175  
Notes :  
Both Bonding and Chip structure are available.  
PAGE . 1  
STAD-APR.30.2009  
12

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