是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | VSOC, TSSOC48,.4,16 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.67 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 55 ns | 备用内存宽度: | 8 |
启动块: | TOP | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | YES | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDSO-C48 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 10 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 1,2,1,7 |
端子数量: | 48 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | -20 °C |
组织: | 256KX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | VSOC | 封装等效代码: | TSSOC48,.4,16 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 3.3 V | 编程电压: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
座面最大高度: | 1 mm | 部门规模: | 16K,8K,32K,64K |
最大待机电流: | 0.000005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.035 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | C BEND | 端子节距: | 0.4 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 9.5 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBM29LV400TC-55PF | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400TC-55PFTN | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400TC-55PFTR | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400TC-55PW | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400TC-55PW | FUJITSU |
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Flash, 256KX16, 55ns, PBGA48, PLASTIC, CSP-48 | |
MBM29LV400TC-70 | FUJITSU |
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4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400TC-70PBT | FUJITSU |
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4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400TC-70PBT | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400TC-70PCV | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29LV400TC-70PCV | FUJITSU |
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4M (512K X 8/256K X 16) BIT |