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MBM29LV400TC-55PCV

更新时间: 2024-11-06 05:22:27
品牌 Logo 应用领域
飞索 - SPANSION 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
58页 610K
描述
FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT

MBM29LV400TC-55PCV 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:VSOC, TSSOC48,.4,16
针数:48Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.67Is Samacsys:N
最长访问时间:55 ns备用内存宽度:8
启动块:TOP命令用户界面:YES
数据轮询:YES耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-C48JESD-609代码:e0
长度:10 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:16
功能数量:1部门数/规模:1,2,1,7
端子数量:48字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:-20 °C
组织:256KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VSOC封装等效代码:TSSOC48,.4,16
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
电源:3.3 V编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1 mm部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.035 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:C BEND端子节距:0.4 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
切换位:YES类型:NOR TYPE
宽度:9.5 mmBase Number Matches:1

MBM29LV400TC-55PCV 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
DS05-20862-8E  
FLASH MEMORY  
CMOS  
4M (512K × 8/256K × 16) BIT  
MBM29LV400TC/BC-55/70/90  
FEATURES  
• Single 3.0 V read, program, and erase  
Minimizes system level power requirements  
• Compatible with JEDEC-standard commands  
Uses same software commands as E2PROMs  
• Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts  
48-pin TSOP(1) (Package suffix: PFTN – Normal Bend Type, PFTR – Reversed Bend Type)  
44-pin SOP (Package suffix: PF)  
48-pin CSOP (Package suffix: PCV)  
48-ball FBGA (Package suffix: PBT)  
48-ball SCSP (Package suffix: PW)  
• Minimum 100,000 program/erase cycles  
• High performance  
55 ns maximum access time  
• Sector erase architecture  
One 8K word, two 4K words, one 16K word, and seven 32K words sectors in word mode  
One 16K byte, two 8K bytes, one 32K byte, and seven 64K bytes sectors in byte mode  
Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase  
• Boot Code Sector Architecture  
T = Top sector  
B = Bottom sector  
(Continued)  
PRODUCT LINE UP  
MBM29LV400 TC/BC  
Part No.  
-55  
-70  
-90  
+0.3 V  
–0.3 V  
+0.6 V  
–0.3 V  
Power Supply Voltage (V)  
VCC = 3.3 V  
VCC = 3.0 V  
Max Address Access Time (ns)  
Max CE Access Time (ns)  
Max OE Access Time (ns)  
55  
55  
30  
70  
70  
30  
90  
90  
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