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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP1 |
| 包装说明： | PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.25 |
| 最长访问时间： | 100 ns | 备用内存宽度： | 8 |
| 启动块： | TOP | JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 33554432 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 2MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1-R | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 12 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM29LV320TE80 | FUJITSU |
获取价格 |
32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
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| MBM29LV320TE80PBT | FUJITSU |
获取价格 |
32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
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| MBM29LV320TE80PBT | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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| MBM29LV320TE80TN | FUJITSU |
获取价格 |
32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
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| MBM29LV320TE80TN | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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| MBM29LV320TE80TR | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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| MBM29LV320TE80TR | FUJITSU |
获取价格 |
32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
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| MBM29LV320TE80TR-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 2MX16, 80ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
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| MBM29LV320TE90 | FUJITSU |
获取价格 |
32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
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| MBM29LV320TE90PBT | FUJITSU |
获取价格 |
32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
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