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MBM29F800B-90PFTR

更新时间： 2024-11-04 15:44:47

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
51页	1762K
描述
Flash, 1MX8, 90ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48

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MBM29F800B-90PFTR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	MINIMUM 100K WRITE/ERASE CYCLES; CAN ALSO BE CONFIGURED AS 512K X 16	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,15
端子数量：	48	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：	-20 °C
组织：	1MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1-R	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
反向引出线：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

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MBM29F800BA-55PF	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY
MBM29F800BA-55PF-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX16, 55ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44
MBM29F800BA-55PFTN	FUJITSU	获取价格	8M (1M X 8/512K X 16) BIT
MBM29F800BA-55PFTN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY
MBM29F800BA-55PFTR	FUJITSU	获取价格	8M (1M X 8/512K X 16) BIT
MBM29F800BA-55PFTR	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY