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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | PLASTIC, SOP-44 |
| 针数： | 44 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.55 | 最长访问时间： | 55 ns |
| 备用内存宽度： | 8 | 启动块： | BOTTOM |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | YES |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 28.45 mm |
| 内存密度： | 8388608 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 1,2,1,15 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 512KX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP44,.63 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 座面最大高度： | 2.5 mm |
| 部门规模： | 16K,8K,32K,64K | 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 13 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM29F800BA-55PF-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 512KX16, 55ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44 |
|
| MBM29F800BA-55PFTN | FUJITSU |
获取价格 |
8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
|
| MBM29F800BA-55PFTN | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
|
| MBM29F800BA-55PFTR | FUJITSU |
获取价格 |
8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
|
| MBM29F800BA-55PFTR | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
|
| MBM29F800BA-55PFTR-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 512KX16, 55ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
|
| MBM29F800BA-70 | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
|
| MBM29F800BA-70 | FUJITSU |
获取价格 |
8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
|
| MBM29F800BA-70PF | FUJITSU |
获取价格 |
8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
|
| MBM29F800BA-70PF | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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