是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TSOP1, TSSOP48,.8,20 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.28 | 最长访问时间: | 70 ns |
其他特性: | CONFIGURABLE AS 1M X 16 | 备用内存宽度: | 8 |
启动块: | BOTTOM | 命令用户界面: | YES |
通用闪存接口: | YES | 数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 8,31 |
端子数量: | 48 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | -20 °C |
组织: | 1MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3.3 V |
编程电压: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 8K,64K | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 12 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBM29DL163BD-70PFTR | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation | |
MBM29DL163BD-90PBT | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation | |
MBM29DL163BD-90PFTN | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation | |
MBM29DL163BD-90PFTR | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation | |
MBM29DL163BD-90PFTR | FUJITSU |
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Flash, 1MX16, 90ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 | |
MBM29DL163BE | FUJITSU |
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16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation | |
MBM29DL163BE-12 | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation | |
MBM29DL163BE12PBT | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX16, 120ns, PBGA48, | |
MBM29DL163BE-12PBT | FUJITSU |
获取价格 |
Flash, 1MX16, 12ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48 | |
MBM29DL163BE12TN | CYPRESS |
获取价格 |
Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48, |