Datasheet > MBM29DL161BE12TN

MBM29DL161BE12TN

更新时间： 2024-11-23 14:53:07

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		光电二极管内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
75页	1089K
描述
Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MBM29DL161BE12TN 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TSSOP, TSSOP48,.8,20
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
最长访问时间：	120 ns	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
部门数/规模：	8,31	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
部门规模：	8K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
Base Number Matches：	1

MBM29DL161BE12TN 数据手册

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20880-1E

FLASH MEMORY

CMOS

16M (2M × 8/1M × 16) BIT ^{Dual Operation}

MBM29DL16XTE/BE^-70/90/12

■ FEATURES

• 0.23 µm Process Technology

• Simultaneous Read/Write operations (dual bank)

Multiple devices available with different bank sizes (Refer to Table 1)

Host system can program or erase in one bank, then immediately and simultaneously read from the other bank

Zero latency between read and write operations

Read-while-erase

Read-while-program

• Single 3.0 V read, program, and erase

Minimizes system level power requirements

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

Part No.

V^CC= 3.3 V

MBM29DL16XTE/BE

+0.3 V

–0.3 V

—

Ordering Part No.

+0.6 V

–0.3 V

V^CC= 3.0 V

—

120

Max. Address Access Time (ns)

Max. CE Access Time (ns)

Max. OE Access Time (ns)

■ PACKAGES

48-pin plastic TSOP (I)

48-pin plastic FBGA

Marking Side

(FPT-48P-M20)

(FPT-48P-M19)

(BGA-48P-M11)

12 3 4 5 6 7...75

中文翻译

下载PDF

与MBM29DL161BE12TN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29DL161BE-12TN	FUJITSU	获取价格	Flash, 1MX16, 12ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29DL161BE-12TN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 12ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29DL161BE12TR	CYPRESS	获取价格	Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48
MBM29DL161BE-12TR	FUJITSU	获取价格	Flash, 1MX16, 12ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29DL161BE-70	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL161BE70PBT	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL161BE-70PBT	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL161BE-70PBT-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 70ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48
MBM29DL161BE70PFTN	FUJITSU	获取价格	16M (2M x 8/1M x 16) BIT Dual Operation
MBM29DL161BE70PFTR	FUJITSU	获取价格	16M (2M x 8/1M x 16) BIT Dual Operation

与MBM29DL161BE12TN相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

36
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

28
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

56
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

53

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MBM29DL161BE12TN

MBM29DL161BE12TN 技术参数

MBM29DL161BE12TN 数据手册

与MBM29DL161BE12TN相关器件

与MBM29DL161BE12TN相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MBM29DL161BE12TN

MBM29DL161BE12TN 技术参数

MBM29DL161BE12TN 数据手册

与MBM29DL161BE12TN相关器件

与MBM29DL161BE12TN相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？