是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | DIP, DIP28,.6 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.85 | 最长访问时间: | 250 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 524288 bit |
内存宽度: | 8 | 端子数量: | 28 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 64KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | EPROMs |
最大压摆率: | 0.03 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBM27C512-25TV-W | FUJITSU |
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EPROM, 64KX8, 250ns, CMOS, CQCC32 | |
MBM27C64-20CV | FUJITSU |
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EPROM, 8KX8, 200ns, CMOS, CQCC32, | |
MBM27C64-20TV | FUJITSU |
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Memory IC | |
MBM27C64-20Z | FUJITSU |
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EPROM, 8KX8, 200ns, CMOS, CDIP28, | |
MBM27C64-25CV | FUJITSU |
获取价格 |
EPROM, 8KX8, 250ns, CMOS, CQCC32, | |
MBM27C64-25CV-X | FUJITSU |
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UVPROM, 8KX8, 250ns, CMOS, CQCC32, | |
MBM27C64-25TV | FUJITSU |
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Memory IC | |
MBM27C64-25XF | FUJITSU |
获取价格 |
Memory IC | |
MBM27C64-25Z | FUJITSU |
获取价格 |
EPROM, 8KX8, 250ns, CMOS, CDIP28, | |
MBM27C64-25Z-X | FUJITSU |
获取价格 |
UVPROM, 8KX8, 250ns, CMOS, CDIP28, |