是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | DIP, DIP28,.6 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.85 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 250 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | UVPROM |
内存宽度: | 8 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 电源: | 5 V |
编程电压: | 21 V | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | EPROMs | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBM27C64-30CW | FUJITSU |
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Memory IC |
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MBM27C64-30TV | FUJITSU |
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Memory IC |
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MBM27C64-30VW | FUJITSU |
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Memory IC |
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MBM27C64-30XC | FUJITSU |
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Memory IC |
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MBM27C64-30XF | FUJITSU |
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Memory IC |
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MBM27C64-30Z | FUJITSU |
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EPROM, 8KX8, 300ns, CMOS, CDIP28, |
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MBM28C64-25C | FUJITSU |
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EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP28, |
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MBM28C64-25P | FUJITSU |
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EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDIP28, |
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MBM28C64-35P | FUJITSU |
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EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, CMOS, PDIP28, |
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MBM28C64-35Z | FUJITSU |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, CMOS, CDIP28, |
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