是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP28,.6 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.88 | 最长访问时间: | 250 ns |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.02 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
切换位: | NO | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBM28C64-35P | FUJITSU |
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EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, CMOS, PDIP28, |
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MBM28C64-35Z | FUJITSU |
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EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, CMOS, CDIP28, |
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MBM28C65-25C | FUJITSU |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP28 |
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MBM28C65-25P | FUJITSU |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDIP28, |
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MBM28C65-25Z | FUJITSU |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP28, |
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MBM28C65-35C | FUJITSU |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, CMOS, CDIP28 |
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MBM29BS12DH12PBT | SPANSION |
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Flash, 8MX16, 55ns, PBGA80, PLASTIC, FBGA-80 |
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MBM29BS12DH12PBT-E1 | SPANSION |
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Flash, 8MX16, 55ns, PBGA80, PLASTIC, FBGA-80 |
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MBM29BS12DH15 | SPANSION |
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BURST MODE FLASH MEMORY CMOS 128M (8M X 16) BIT |
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MBM29BS12DH15PBT | SPANSION |
获取价格 |
BURST MODE FLASH MEMORY CMOS 128M (8M X 16) BIT |
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