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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.88 | 最长访问时间： | 350 ns |
| 命令用户界面： | NO | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.02 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 切换位： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM28C64-35Z | FUJITSU |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, CMOS, CDIP28, |
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| MBM28C65-25C | FUJITSU |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP28 |
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| MBM28C65-25P | FUJITSU |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDIP28, |
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| MBM28C65-25Z | FUJITSU |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP28, |
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| MBM28C65-35C | FUJITSU |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, CMOS, CDIP28 |
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| MBM29BS12DH12PBT | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 8MX16, 55ns, PBGA80, PLASTIC, FBGA-80 |
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| MBM29BS12DH12PBT-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 8MX16, 55ns, PBGA80, PLASTIC, FBGA-80 |
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| MBM29BS12DH15 | SPANSION |
获取价格 |
BURST MODE FLASH MEMORY CMOS 128M (8M X 16) BIT |
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| MBM29BS12DH15PBT | SPANSION |
获取价格 |
BURST MODE FLASH MEMORY CMOS 128M (8M X 16) BIT |
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| MBM29BS12DH15PBT-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 8MX16, 15ns, PBGA80, PLASTIC, FBGA-80 |
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