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MBM29DL161BD12PFTN

更新时间： 2024-11-20 10:18:47

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
76页	1146K
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1MX16 FLASH 3V PROM, 120ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48

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MBM29DL161BD12PFTN 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP1
包装说明：	TSOP1,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.31
最长访问时间：	120 ns	备用内存宽度：	8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	长度：	18.4 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	12 mm

MBM29DL161BD12PFTN 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20874-4E

FLASH MEMORY

CMOS

16M (2M × 8/1M × 16) BIT ^{Dual Operation}

MBM29DL16XTD/BD^-70/90/12

■ FEATURES

• 0.33 µm Process Technology

• Simultaneous Read/Write operations (dual bank)

Multiple devices available with different bank sizes (Refer to Table 1)

Host system can program or erase in one bank, then immediately and simultaneously read from the other bank

Zero latency between read and write operations

Read-while-erase

Read-while-program

• Single 3.0 V read, program, and erase

Minimizes system level power requirements

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

Part No.

V^CC= 3.3 V

MBM29DL16XTD/MBM29DL16XBD

+0.3 V

–0.3 V

—

Ordering Part No.

+0.6 V

–0.3 V

V^CC= 3.0 V

—

120

Max. Address Access Time (ns)

Max. CE Access Time (ns)

Max. OE Access Time (ns)

■ PACKAGES

48-pin plastic TSOP (I)

48-pin plastic FBGA

Marking Side

(FPT-48P-M19)

(FPT-48P-M20)

(BGA-48P-M13)

Embedded Erase^TMand Embedded Program^TMare trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

12 3 4 5 6 7...76

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29DL161BD-12PFTN	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48,
MBM29DL161BD-12PFTR	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48,
MBM29DL161BD-70PBT	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL161BD-70PFTN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL161BD-70PFTR	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL161BD-90PBT	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL161BD-90PFTN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
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MBM29DL161BE	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
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