是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP28,.6 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.76 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 250 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 65536 bit | 内存宽度: | 8 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
电源: | 5 V | 编程电压: | 21 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | EPROMs | 最大压摆率: | 0.03 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBM27C64-25Z-X | FUJITSU |
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UVPROM, 8KX8, 250ns, CMOS, CDIP28, |
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MBM27C64-30CW | FUJITSU |
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Memory IC |
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MBM27C64-30TV | FUJITSU |
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Memory IC |
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MBM27C64-30VW | FUJITSU |
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Memory IC |
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MBM27C64-30XC | FUJITSU |
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Memory IC |
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MBM27C64-30XF | FUJITSU |
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Memory IC |
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MBM27C64-30Z | FUJITSU |
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EPROM, 8KX8, 300ns, CMOS, CDIP28, |
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MBM28C64-25C | FUJITSU |
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EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP28, |
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MBM28C64-25P | FUJITSU |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDIP28, |
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MBM28C64-35P | FUJITSU |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, CMOS, PDIP28, |
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