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MBM101474A-3Z

更新时间: 2024-10-23 19:55:07
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 270K
描述
Standard SRAM, 1KX4, 3ns, CDIP24

MBM101474A-3Z 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:DIP, DIP24,.4Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.88最长访问时间:3 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-XDIP-T24
JESD-609代码:e0内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
负电源额定电压:-5.2 V端子数量:24
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:55 °C
最低工作温度:组织:1KX4
输出特性:OPEN-EMITTER封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP24,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:-5.2 V
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
最大压摆率:0.33 mA表面贴装:NO
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MBM101474A-3Z 数据手册

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