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MB82B206-25PJ

更新时间: 2024-11-09 19:20:27
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 信息通信管理静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 44K
描述
Standard SRAM, 1MX4, 25ns, BICMOS, PDSO36

MB82B206-25PJ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ36,.44
针数:36Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.88最长访问时间:25 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDSO-J36
JESD-609代码:e0内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:36字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ36,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:BICMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MB82B206-25PJ 数据手册

 浏览型号MB82B206-25PJ的Datasheet PDF文件第2页 

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