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MB82B75-15PJ

更新时间: 2024-11-09 19:48:59
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 229K
描述
Standard SRAM, 16KX4, 15ns, PDSO24

MB82B75-15PJ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ24,.34
针数:24Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.87最长访问时间:15 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J24
JESD-609代码:e0内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:24字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ24,.34封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.015 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.12 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MB82B75-15PJ 数据手册

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