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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIMM, DIMM168 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDMA-N168 | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | EDO DRAM MODULE | 内存宽度： | 64 |
| 端子数量： | 168 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2MX64 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM168 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 1024 | 最大待机电流： | 0.018 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.708 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MB642BT58TADG60 | MOTOROLA |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, MOS, DIMM-168 |
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| MB642BT58TADG70 | MOTOROLA |
获取价格 |
2MX64 EDO DRAM MODULE, 70ns, DMA168, DIMM-168 |
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| MB644CT00TADG60 | MOTOROLA |
获取价格 |
4MX64 EDO DRAM MODULE, 60ns, DMA168, DIMM-168 |
|
| MB644CT00TADG70 | MOTOROLA |
获取价格 |
4MX64 EDO DRAM MODULE, 70ns, DMA168, DIMM-168 |
|
| MB644CT10TADG60 | MOTOROLA |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, PDMA168 |
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| MB64HBXXX | FUJITSU |
获取价格 |
CMOS Gate Array |
|
| MB64HXXX | FUJITSU |
获取价格 |
CMOS Gate Array |
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| MB650XXX | FUJITSU |
获取价格 |
AV CMOS SEREIS GATE ARRAYS |
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| MB65101BAN | MURATA |
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HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS |
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| MB65101BBN | MURATA |
获取价格 |
HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS |
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