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MB642BT58TADG60

更新时间： 2024-11-11 19:59:51

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	335K
描述
EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, MOS, DIMM-168

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MB642BT58TADG60 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIMM-168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	备用内存宽度：	32
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	MOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MB642BT58TADG60 数据手册

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by 3VEDOB64D/D

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

1, 2M x 64

3.3 V, EDO, Buffered

8 and 16 Megabyte

1M x 64 (8MB), 2M x 64 (16MB)

168–LEAD DIMM

CASE TBD

•

JEDEC–Standard 168–Lead Dual–In–Line Memory Module (DIMM)

Single 3.3 V Power Supply, LVTTL–Compatible Inputs and Outputs

Extended Data Out (EDO)

BACK

FRONT

RAS–Only Refresh, CAS Before RAS Refresh, Hidden Refresh

8MB/16MB: 1024 Cycle Refresh: 16 ms (Max)

Keys Prevent Accidental Insertion into 5 V Systems

PART NUMBERS (See Page 23 for Definitions)

Organization

1M x 64

124

125

MB641BT58TADG60

MB642BT58TADG60

MB641BT58TADG70

MB642BT58TADG70

2M x 64

KEY TIMING PARAMETERS

Speed

(ns)

104

124

RAC

CAC

EPC

168

BACK NOT POPULATED ON 1M x 64 (8MB)

ADDITIONAL PARAMETERS

Standby Power

Dissipation

Active Power

Dissipation

(mW) (Max)

Configuration

Speed

TTL

CMOS

8MB

2,808

2,376

2,822

2,390

16MB

1/10/97

Motorola, Inc. 1996

MOTOROLA DRAM

3VEDOB64D

12 3 4 5 6 7...24

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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