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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MAT-04N | ADI |
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TRANSISTOR 30 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 0.060 X 0.060 INCH, D |
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| MAT-04NAC | ADI |
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TRANSISTOR 30 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 0.060 X 0.060 INCH, D |
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| MAT-04NBC | ADI |
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TRANSISTOR 30 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 0.060 X 0.060 INCH, D |
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| MAT-0TDC210 | JDSU |
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MEMS Variable Optical Attenuators |
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| MAT-0TDO210 | JDSU |
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MEMS Variable Optical Attenuators |
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| MAT-0TMC210 | JDSU |
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MEMS Variable Optical Attenuators |
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| MAT-0TMO210 | JDSU |
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MEMS Variable Optical Attenuators |
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| MAT-0TTC210 | JDSU |
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MEMS Variable Optical Attenuators |
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| MAT-0TTO210 | JDSU |
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MEMS Variable Optical Attenuators |
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| MAT1 | ETC |
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Analog IC |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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