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MAS3781E PDF预览

MAS3781E

更新时间： 2024-01-29 18:56:21
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 80K
描述
Mixer Diode, L Band, Silicon, SSSMINI3-F1, 3 PIN

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MAS3781E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DFP
包装说明：R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.60风险等级：5.81
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：MIXER DIODE
频带：L BANDJESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：2端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

MAS3781E 数据手册

 浏览型号MAS3781E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MAS3781E的Datasheet PDF文件第3页 
Schottky Barrier Diodes (SBD)  
MAS3781E  
Silicon epitaxial planar type  
Unit: mm  
+0.05  
–0.02  
+0.05  
For high-speed switching circuits  
0.33  
0.10  
–0.02  
3
■ Features  
•
•
High-density mounting is possible  
Optimum for high frequency rectification because of its short  
reverse recovery time (trr)  
Low forward voltage VF and good rectification efficiency  
SSS-Mini type 3-pin package  
+0.05  
1
2
0.23  
–0.02  
(0.40)(0.40)  
0.80 0.05  
1.20 0.05  
•
•
5°  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse voltage (DC)  
Peak reverse voltage  
Forward current (DC) Single  
Double  
Symbol  
VR  
Rating  
Unit  
V
30  
1: Anode 1  
2: Anode 2  
3: Cathode 1, 2  
SSSMini3-F1 Package  
VRM  
IF  
30  
30  
V
mA  
20  
Marking Symbol: M4  
Peak forward current Single  
Double  
IFM  
150  
mA  
Internal Connection  
110  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
125  
°C  
°C  
3
Tstg  
−55 to +125  
1
2
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Reverse current (DC)  
Forward voltage (DC)  
Symbol  
IR  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
1
Unit  
µA  
V
VR = 30 V  
IF = 1 mA  
VF1  
VF2  
Ct  
0.4  
1.0  
IF = 30 mA  
Terminal capacitance  
Reverse recovery time *  
VR = 1 V, f = 1 MHz  
1.5  
1.0  
pF  
ns  
trr  
IF = IR = 10 mA  
Irr = 1 mA, RL = 100 Ω  
Detection efficiency  
η
Vin = 3 V(peak) , f = 30 MHz  
RL = 3.9 kΩ, CL = 10 pF  
65  
%
Note) 1. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body  
and the leakage of current from the operating equipment.  
ꢀ
2. Rated input/output frequency: 2 GHz  
3. : trr measuring instrument  
*
Bias Application Unit N-50BU  
Input Pulse  
Output Pulse  
trr  
tp  
tr  
t
10%  
IF  
t
A
90%  
VR  
Irr = 1 mA  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
IF = 10 mA  
IR = 10 mA  
RL = 100 Ω  
Pulse Generator  
(PG-10N)  
Wave Form Analyzer  
(SAS-8130)  
Rs = 50 Ω  
Ri = 50 Ω  
Publication date: June 2002  
SKH00116AED  
1
123

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与MAS3781E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MAS3784 PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, SSSMINI3-F1, 3 PIN
MAS3795 PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type
MAS3795E PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, L Band, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F1, 3 PIN
MAS3795EG PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F2, 3 PIN
MAS3864C60CB DYNEX

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 		MASK ROM, 8KX8, 60ns, CMOS, CDIP28
MAS3864C60CC DYNEX

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