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MAS3795

更新时间： 2024-02-14 07:34:16

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松下 - PANASONIC		/
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3页	85K
描述
Silicon epitaxial planar type

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MAS3795 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DFP
包装说明：	R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.79
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	最大二极管电容：	1.5 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

MAS3795 数据手册

Schottky Barrier Diodes (SBD)

MAS3795

Silicon epitaxial planar type

Unit: mm

+0.05

–0.02

+0.05

For high-speed switching circuits

0.33

0.10

–0.02

■ Features

•

High-density mounting is possible

Optimum for high frequency rectification because of its short

reverse recovery time (t_rr)

Low forward voltage V_Foptimum for low voltage rectification

V_F= < 0.3 V (at I_F= 1 mA)

+0.05

0.23

–0.02

(0.40)(0.40)

0.80 0.05

1.20 0.05

•

5°

SSS-Mini type 3-pin package

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Reverse voltage (DC)

Peak reverse voltage

Forward current (DC)

Peak forward current

Junction temperature

Storage temperature

Symbol

V_R

Rating

Unit

1: Anode

2: N.C.

3: Cathode

V_RM

I_F

SSSMini3-F1 Package

°C

Marking Symbol: M2

I_FM

150

T_j

125

Internal Connection

T_stg

−55 to +125

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Reverse current (DC)

Forward voltage (DC)

Symbol

I_R

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

µA

V_R= 30 V

I_F= 1 mA

V_F1

V_F2

C_t

0.3

1.0

I_F= 30 mA

Terminal capacitance

Reverse recovery time ^*

V_R= 1 V, f = 1 MHz

1.5

1.0

t_rr

I_F= I_R= 10 mA

I_rr= 1 mA, R_L= 100 Ω

Detection efficiency

V_in= 3 V_(peak), f = 30 MHz

R_L= 3.9 kΩ, C_L= 10 pF

Note) 1. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body

and the leakage of current from the operating equipment.

ꢀ

2. Rated input/output frequency: 2 GHz

3. : t_rrmeasuring instrument

Bias Application Unit N-50BU

Input Pulse

Output Pulse

t_rr

t_p

t_r

10%

I_F

90%

V_R

I_rr= 1 mA

t_p= 2 µs

t_r= 0.35 ns

δ = 0.05

I_F= 10 mA

I_R= 10 mA

R_L= 100 Ω

Pulse Generator

(PG-10N)

Wave Form Analyzer

(SAS-8130)

R_s= 50 Ω

R_i= 50 Ω

Publication date: June 2002

SKH00117AED

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MAS3795E	PANASONIC	Mixer Diode, L Band, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F1, 3 PIN	获取价格
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