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M966G0125AQ0-C80

更新时间： 2024-11-26 10:14:59
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 639K
描述
Synchronous Graphics RAM Module, 1MX64, 6ns, CMOS, DIMM-144

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M966G0125AQ0-C80 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIMM
包装说明：DIMM, DIMM144,32针数：144
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.84
访问模式：DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间：6 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：125 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N144
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM MODULE
内存宽度：64功能数量：1
端口数量：1端子数量：144
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX64
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM144,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：2048自我刷新：YES
最大待机电流：0.008 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.6 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

M966G0125AQ0-C80 数据手册

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M965G0125AP(Q)0 / M966G0125AP(Q)0  
SGRAM MODULE  
M965G0125AP(Q)0 / M966G0125AP(Q)0 SGRAM SODIMM  
1Mx64 SGRAM SODIMM based on 512Kx32, 2K Refresh, 3.3V Synchronous Graphic RAMs  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
• Performance Range  
The Samsung M965(6)G0125AP(Q)0 is a 1M bit x 64 Syn-  
chronous Graphic RAM high density memory module. The  
Samsung M965(6)G0125AP(Q)0 consists of four CMOS 512K  
x 32 bit Synchronous Graphic RAMs in 100pin QFP packages  
mounted on a 144pin glass-epoxy substrate. Five 0.1uF  
decoupling capacitors are mounted on the printed circuit board  
for each Synchronous GRAM. The M965(6)G0125AP(Q)0 is a  
Small Outline Dual In-line Memory Module and is intended for  
mounting into 144-pin edge connector sockets.  
Part NO.  
Max. Freq. (tCC)  
200MHz (5ns)  
166MHz (6ns)  
143MHz (7ns)  
125MHz (8ns)  
M965(6)G0125AP(Q)0-C50  
M965(6)G0125AP(Q)0-C60  
M965(6)G0125AP(Q)0-C70  
M965(6)G0125AP(Q)0-C80  
* M965(6)G0125AP0 : based on PQFP Component  
M965(6)G0125AQ0 : based on TQFP Component  
• Burst Mode Operation  
• BLOCK-WRITE and Write-per-bit capability  
• Independent byte operation via DQM0~7  
• Auto & Self Refresh Capability (2048 cycles / 32ms)  
• LVTTL compatible inputs and outputs  
• Single 3.3V±0.3V power supply  
• MRS cycle with address key programs  
CAS Latency (2, 3)  
Burst Length (1, 2, 4, 8 & Full page)  
Data Scramble (Sequential & Interleave)  
• Optional Serial PD with EEPROM (M966G0125A)  
• Resistor Strapping Options for speed and CAS Latency  
• PCB : Height(1250mil), double sided components  
Synchronous design allows precise cycle control with the use  
of system clock. I/O transactions are possible on every clock  
cycle. Range of operating frequencies, programmable laten-  
cies and burst lengths allows the same device to be useful for a  
variety of high bandwidth, high performance memory system  
applications.  
PIN CONFIGURATIONS (Front Side / Back Side)  
PIN NAMES  
Pin Front Pin Back Pin Front Pin Back Pin Front Pin Back  
Pin Name  
A0 ~ A9  
Function  
1
3
5
7
9
VSS  
2
4
6
8
VSS  
95 DQ31 96 DQ30  
97 DQ29 98 DQ28  
99 DQ27 100 DQ26  
101 DQ25 102 DQ24  
Address Input(multiplexed)  
Bank Select Address  
Data Input / Output  
Voltage Key  
DQ63  
DQ61  
DQ59  
DQ62  
DQ60  
DQ58  
DQ56  
VDD  
DQ54  
DQ52  
DQ50  
DQ48  
VSS  
BA(A10)  
DQ0 ~ 63  
51  
53  
55  
57  
59  
61  
63  
65  
67  
69  
71  
73  
75  
77  
79  
RSVD  
RSVD  
VSS  
52 RSVD  
54 RSVD  
56  
CLK0,CLK1 Clock Input  
DQ57 10  
12  
103  
VSS  
104  
VSS  
VSS  
CKE  
Clock Enable Input  
11  
VDD  
105 DQ23 106 DQ22  
107 DQ21 108 DQ20  
109 DQ19 110 DQ18  
111 DQ17 112 DQ16  
DSF  
RFU  
RFU  
VDD  
58 RFU  
60 RFU  
62 **SBA  
13 DQ55 14  
15 DQ53 16  
17 DQ51 18  
19 DQ49 20  
CS0,CS1  
RAS  
Chip Select Input  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Write Enable  
64  
VDD  
CAS  
113  
VDD  
114  
VDD  
CS1  
RAS  
WE  
66 CS0  
68 CAS  
70 CKE  
WE  
21  
VSS  
22  
115 DQM3 116 DQM2  
117 DQM1 118 DQM0  
23 DQM7 24 DQM6  
25 DQM5 26 DQM4  
27  
29 DQ47 30  
31 DQ45 32  
33 DQ43 34  
35 DQ41 36  
DSF  
Define Special Function  
DQM  
119  
VSS  
120  
VSS  
VSS  
CLK1  
VDD  
RSVD  
RSVD  
(A11)  
72  
74 CLK0  
76  
78 RSVD  
80 A8  
VSS  
DQM0 ~ 7  
VDD  
VDD  
28  
VDD  
121 DQ15 122 DQ14  
123 DQ13 124 DQ12  
125 DQ11 126 DQ10  
127 DQ9 128 DQ8  
Power Supply (3.3V)  
Ground  
DQ46  
DQ44  
DQ42  
DQ40  
VSS  
DQ38  
DQ36  
DQ34  
DQ32  
VDD  
VDD  
VSS  
**SDA  
**SBA  
**SCL  
RSVD  
RFU  
Serial Address Data I/O  
EEPROM Device Address  
Serial Clock  
129  
VDD  
130  
VDD  
37  
VSS  
38  
131 DQ7 132 DQ6  
133 DQ5 134 DQ4  
135 DQ3 136 DQ2  
137 DQ1 138 DQ0  
81 BA(A10) 82 A9/AP  
39 DQ39 40  
41 DQ37 42  
43 DQ35 44  
45 DQ33 46  
83  
85  
87  
89  
91  
93  
A7  
VSS  
A5  
84  
86  
88  
90  
92  
94  
A6  
VSS  
A4  
Reserved  
Reserved for future used  
No Connection  
139  
141 **SDA 142 **SCL  
143 144  
VSS  
140  
VSS  
A3  
A1  
VDD  
A2  
A0  
VDD  
NC  
47  
VDD  
48  
** These pins should be NC in the system  
49 RSVD 50 RSVD  
VDD  
VDD  
which does not support SPD.  
SAMSUNG ELECTRONICS CO. Ltd. reserves the right to change products and specifications without notice.  
ELECTRONICS  
1234567...14

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与M966G0125AQ0-C80相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M966G0225MP0-C50 SAMSUNG

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 		Synchronous Graphics RAM Module, 2MX64, 4.5ns, CMOS, SODIMM-144
M966G0225MP0-C60 SAMSUNG

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 		Synchronous Graphics RAM Module, 2MX64, 5.5ns, CMOS, SODIMM-144
M966G0225MP0-C70 SAMSUNG

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